美銀報告指出，驅動這波資本配置轉向的首要原因，是傳統DRAM的獲利能力已顯著超越HBM，尤其以LPDDR5為代表的主流DRAM產品，在目前價格高檔盤旋之下，毛利率與資本效率對晶片製造商更具吸引力，使業者更願意將資源投入傳統記憶體擴產。
此外，HBM4訂單增速開始放緩，需求成長力道不若先前強勁，加上以NAND為基礎的KV快取記憶體在AI推理應用快速滲透，部分取代HBM在特定場景的需求，也使HBM獨霸市場的格局出現鬆動。
在價格方面，根據DRAMeXchange統計，目前16Gb DDR5現貨價格約38.5美元，16Gb DDR4現貨價更高達63.9美元，雙雙站上過去25年罕見高檔；其中DRAM合約價在今年4月已升至歷史新高區間，16Gb DDR5合約價單月再漲逾20%，延續前一季高達200%、以及今年首季再漲80%的驚人漲幅。NAND價格同步維持高檔，美銀預估第二季合約價格將進一步攀升至約30美元，顯示傳統記憶體市場正處於供不應求的黃金周期。
除了擴產方向轉變，晶片大廠對長期供貨協議（LTA）的態度也出現明顯改變，報告指出，過去透過長約鎖定價格與出貨量，被視為穩定營運的重要策略，但在DRAM與NAND價格按季調漲的環境下，愈來愈多記憶體廠傾向放棄長約束縛，改採季度議價模式，以保留價格上漲所帶來的超額利潤空間。
市場原先擔憂韓國與美國新建晶圓廠將在2028年前後帶來大量新增產能，進而扭轉供需格局，但美銀認為，實際情況可能遠比預期保守，由於先進製程節點執行風險高，加上設備投入審慎，多數新廠初期每月新增產能估僅5萬至6萬片晶圓，遠低於理論滿載規模，意味全球DRAM供給年增幅仍將維持個位數水準，難以快速緩解供給缺口。
(本文轉載自:工商時報/方明)
