在當前全球快閃記憶體（NAND Flash）面臨嚴重缺貨潮之際，市場傳出震撼消息，日本記憶體龍頭在產能需求下，主動與台灣晶圓代工大廠聯電接觸，計劃攜手矽智財大廠力旺的相關技術，在聯電日本工廠進行 2D NAND 與 NOR Flash 晶片代工業務。這不僅是聯電睽違多年後重返記憶體領域，更創下台灣半導體史上首度在日本生產記憶體的紀錄。
根據經濟日報引用消息人士透露，這項備受矚目的量產計畫將落腳於聯電日本 12 吋廠 USJC。該廠前身為富士通三重 12 吋晶圓廠，長期具備邏輯與記憶體雙重製造經驗，且深耕車載與工業應用領域多年，被業界視為承接低密度記憶體代工的絕佳基地。當前，USJC 的成熟製程極為適合切入 45/40 奈米世代的 MLC NAND 產品，計劃於 2026 年下半年展開試產、2027年正式量產。這使得聯電能在不影響主力邏輯產能的情況下，靈活調配資源。
至於，這次兩家公司的合作關鍵，在市場上包括鎧俠等一線 NAND 大廠紛紛退出 2D NAND 製造，將資源全力集中於高階 3D NAND 發展。然而，2D NAND 與 NOR Flash 在車載、工業控制、消費性電子等領域需求依然龐大，且對產品生命周期的要求動輒長達十年以上，導致供應缺口持續擴大。因此，日本大廠著眼於長期供應穩定性與地緣政治風險分散，積極建立替代產能，進而促成了此次合作。
事實上，聯電與力旺一直是長期合作的夥伴，兩家公司早期皆曾涉足記憶體技術領域，隨後才雙雙轉向邏輯製程與矽智財發展。雙方的合作從最早期聯電將力旺的 OTP（一次性可程式非揮發記憶體） 技術導入 0.18 微米以下製程平台，便開始了合作的濫觴。之後，2013 年，力旺宣布與聯電擴大技術合作，將 OTP 與 MTP 技術佈建於聯電 0.18μm 至 28nm 製程平台，橫跨成熟與先進製程。
來到 2020 年，聯電、力旺及其子公司熵碼科技共同宣布，開發全球首個 PUF 應用安全嵌入式快閃記憶體方案（PUFflash），導入聯電 55nm eFlash 平台。2021 年，力旺與聯電又再宣布，力旺的 ReRAM（ 阻變式記憶體） IP 已通過聯電 40nm 認證。直到 2023 年，力旺的 RRAM IP 也宣布通過聯電 22nm 超低功耗平台可靠度驗證，並將合作開發車規級 RRAM。
根據臉書社團 JOV 的報導，理論上，邏輯製程無法直接轉換生產記憶體，但發展到 28 奈米製程的嵌入式非揮發性記憶體 （eNVM） 技術，已能將 NOR Flash 結構整合入邏輯電路中。相較於再技術門檻極高的 3D NAND 或無法互通的DRAM，邏輯晶圓廠轉作 2D 平面架構的 NAND 與 NOR Flash 是可行性最高的便捷路徑。因此，這次透過 「IP＋製程整合」 模式的合作，再能以最少硬體與流程更動，卻能加速良率爬升與技術導入時程情況下，傳出聯電內部正評估以28奈米製程轉換生產。
整體來說，聯電近期才宣布下半年起調漲成熟製程代工價格，若能順利搭上這波記憶體量價齊揚的熱潮，法人高度看好這將成為帶動聯電營運大幅轉變的強大動能。針對此傳聞，聯電目前表示不予評論，力旺亦尚未做出回應。因此，市場目光已全面聚焦於聯電即將在本月 29 日舉行的法說會，期待屆時能對這項記憶體新業務有更清晰的輪廓。
(本文轉載自:財經新報/Atkinson)
