南韓政府主導三星、SK海力士展開史上最大規模半導體投資，喊出五年記憶體產能翻倍，大舉擴建DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）工廠，為全球記憶體後市投下震撼彈。
南韓政府主導三星、SK海力士展開史上最大規模半導體投資，喊出五年記憶體產能翻倍，大舉擴建DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）工廠，為全球記憶體後市投下震撼彈。面對韓廠大軍壓境，台灣記憶體廠全面拉高戒備。
業界指出，南亞科（2408）、華邦（2344）、力積電（6770）、旺宏（2337）雖同步擴大資本支出，但主要鎖定製程升級、高階產品與利基應用，採「以守代攻」策略，不與韓廠正面拚規模。
以南亞科為例，配合產品升級與供應鏈需求，今年資本支出規劃超過520億元，雖然金額看似不小，但與兩大韓廠相較，仍是「小巫見大巫」。
南亞科今年資本支出主要投入5A新廠擴建及先進製程研發與設備，規劃2027年第1季啟動新廠裝機、下半年量產，未來二至三年整體產能可望提升約80%至100%。
製程提升方面，南亞科已量產10奈米級第二代（1B）16Gb DDR5、8Gb及4Gb DDR4產品，並完成128GB DDR5 RDIMM 5600／6400 Mb／s伺服器產品功能測試。
另外，更先進的10奈米第三代（1C）16Gb DDR5驗證預計下半年完成；第四代（1D）16Gb DDR5於第2季導入試產，並與客戶共同開發客製化HBM。
華邦也積極備戰，董事會已通過新增73億元資本支出，其中逾50億元投入CUBE先進封裝技術設備，預計相關大宗支出落在明年。
產能布局上，華邦快閃記憶體月產能將由2025年的4萬片，提升至2027年的5萬片，整體晶圓產能增加約20%，若加計製程優化，位元產出可望成長逾40%至近50%，展現以技術與效率放大供給的策略。
力積電則從代工與AI供應鏈切入，總經理朱憲國強調，已於3、4月對DRAM與NAND Flash代工價進行結構性調升，效益預計6月起逐步發酵，今年資本支出規劃約5.12億美元（約新台幣160.94億元），將購買HBM生產所需設備，全力切入HBM供應鏈與AI市場，後續則視DRAM需求動態調整。
旺宏也因AI需求與競爭對手退出特定記憶體市場，迎來轉單，因而重新啟動資本支出計畫，預計2026年投入約220億元擴產。
(本文轉載自:經濟日報/李孟珊)
