AI推升記憶體進入超級周期 長鑫存儲、長江存儲營運爆發

全球AI伺服器、大型語言模型(LLM)與高速資料中心需求持續升溫,帶動DRAM與NAND Flash進入新一輪超級周期,中國兩大存儲晶片龍頭長鑫存儲(CXMT)與長江存儲(YMTC)營運同步爆發。

根據長鑫IPO申報資料,該公司2025年全年營收達617.99億元人民幣(下同),年增155.6%,歸屬母公司淨利18.75億元,由虧轉盈,毛利率提升至41.02%。

進入2026年後,長鑫獲利進一步跳升。第一季營收達508億元,年增719%;單季淨利330.12億元,歸屬母公司淨利247.62億元,創下歷史新高。

市場法人預估,長鑫2026年上半年營收有機會達1,100億至1,200億元,淨利上看500億至570億元。

法人指出,AI伺服器帶動HBM、DDR5與高階伺服器DRAM需求持續擴大,加上三星、美光與SK海力士近年陸續縮減DDR4與LPDDR4供給,將產能轉向HBM與DDR5,帶動成熟型DRAM市場供給明顯收縮,長鑫成為少數持續擴充DDR4產能的供應商之一。

長江存儲在NAND Flash市場也快速崛起。根據市場研究機構與供應鏈消息,長江存儲2025年前三季營收約320.84億元,年增97.79%;2026年第一季營收突破200億元,較去年同期翻倍成長,全球NAND Flash市占率已超過10%,正快速逼近全球第一梯隊廠商。

截至目前,長江存儲尚未正式公布2026年第一季完整財報,部分機構預估,第一季歸屬母公司淨利約2.4億~2.6億元,年增70%~84%。

法人分析,兩家公司業績快速成長,主要來自AI需求爆發、中國半導體自主化,以及供應鏈國產化三大驅動力。

隨全球AI算力需求持續攀升,HBM、DDR5與企業級SSD需求同步升溫,DRAM與NAND Flash供需同步吃緊,價格大幅上漲。另一方面,中國政府持續推動半導體自主化,也帶動本土伺服器、AI與智慧手機品牌積極導入國產存儲晶片。

據了解,長江存儲三期產線中國產設備採購占比已首度突破50%,顯示中國本土半導體設備與材料導入速度明顯加快,有助降低成本並提升供應鏈韌性。

隨AI模型持續升級、邊緣AI與終端AI裝置快速普及,高階DRAM與3D NAND需求仍將維持高檔,長鑫與長江存儲下半年營運有望續創新高,並進一步改寫全球存儲產業版圖

(本文轉載自:工商時報/李娟)

立即咨询

若需咨询我们,请点此处。

咨询

下载资料

浏览我们最新的资料文件。

资料专区