中國 DRAM 大廠長鑫存儲今年產能即將追平美光，加上多家廠商同步擴張，可能使中國未來幾年成為全球第二大 DRAM 生產基地，不過中方製造設備取得困難且面臨出口管制，這條路仍充滿變數。
根據 Citrini Research 預測模型，長鑫存儲（CXMT）今年將達每月約 35 萬片晶圓產能（WSPM），僅比美光少 2.5 萬片，而為緩解中國記憶體短缺問題，該國政府正打造 DRAM 生態系，積極推動長鑫存儲將技術轉移給其他 3 家國內廠商：Swaysure、晉華（JHICC）、XMC。
若上述廠商全數投產，中國 DRAM 總產能（不含三星、SK 海力士廠房）將達每月約 60 萬片，超越日本、台灣、美國三地合計產能，排名全球第二。
到 2030 年，預測中國 DRAM 總產能擴大至每月約 141 萬片，光長鑫存儲計畫在北京、合肥、上海建設新廠，就可獨自擴產至每月 95 萬片。
但即使中國大幅擴產，大部分仍優先滿足內需，全球記憶體短缺問題近期難徹底解決。
中國擴產最大變數，取決於 DUV 光刻機能否到手。DUV 主要供應商為 ASML、Canon、Nikon，目前 3 家都無法快速擴增產量，加上美國 MATCH 法案限制，中國更可能寄望 2 家國內廠商 SMEE、SiCarrier 推出自有 DUV 平台。
就算這些設備成功開發，從量產出貨到實際對市場產生影響，恐怕也要到 2030 年代初才見成效。
(本文轉載自:科技新報/EMMA)
