美國功率元件業者安森美 (ON-US) 今 (3) 日宣布與中國英諾賽科合作，加速全球氮化鎵 (GaN) 產品的布局，預計此次將運用英諾賽科在 GaN 晶圓的大規模製造優勢，以及安森美自家的封裝技術，加速推廣 GaN 應用，雙方合作產品預計 2026 年上半年開始送樣給客戶。
安森美指出，此次合作主要包括晶圓採購和更廣泛的合作，雙方將探索利用英諾賽科成熟的 8 吋 GaN-on-silicon 製程，擴大生產氮化鎵 (GaN) 功率元件，一方面結合安森美在系統整合、驅動器和封裝方面的技術，以及英諾賽科在 GaN 晶圓和大規模製造方面的優勢，更快地將經濟高效、節能的解決方案推向市場，並加速 GaN 的應用。
安森美看好，此次合作將擴展公司的低壓和中壓 (40V 至 200V) GaN 功率元件產品組合，並擴大 GaN 的全球生產規模，從而加快產品上市速度，並促進更廣泛的應用，以瞄準預計到 2030 年規模達 29 億美元的市場，包括工業、汽車、電信基礎建設、消費性電子和 AI 資料中心。
GaN 具有更高的開關速度、更小的尺寸和更低的能量損耗，能夠在更小的空間內提供更大的功率。安森美坦言，先前由於產品種類有限且產能不足，GaN 在低壓和中壓領域的應用受到限制，透過此次合作，將致力於克服這些障礙，以快速在全球大規模部署主流應用的氮化鎵 (GaN) 解決方案。
相關領域包括工業的機器人馬達驅動器、太陽能微型逆變器和優化器；汽車領域的直流直流轉換器、同步整流器；電信基礎建設的直流直流轉換器和負載點轉換器；消費及大眾市場領域的電源、轉接器、直流直流轉換器、馬達驅動器、音訊設備、輕型電動車、電動工具、機器人等；AI 資料中心領域的中間匯流排轉換器、直流直流轉換器、備用電池。
安森美企業策略副總裁 Antoine Jalabert，隨著各行各業電力需求的成長，與其他材料相比，氮化鎵具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能量損耗。此前，在低壓和中壓領域，成本和供應限制了其廣泛應用，透過與英諾賽科合作，有望利用業界最大的氮化鎵生產基地，並迅速擴大我們面向全球客戶的氮化鎵產品。
氮化鎵技術對於改進電子產品、打造更小巧、更有效率的電源系統、節省電力以及減少二氧化碳排放至關重要。英諾賽科非常高興能與安森美半導體探索策略合作機會，以擴大和加速氮化鎵電源技術在全球範圍內的應用，並利用安森美半導體豐富的產品組合毅毅離打造平台。
(本文轉載自:鉅亨網/魏志豪報導)
