法人預估，本季漲幅18％～25％，Q4收斂至10％以下
法人指出，即使價格漲幅收斂，也不代表供需反轉。三大原廠每年晶圓產能雖約增加12％，正常情況下可帶動約20％位元成長，但接近一半新增產能轉向HBM後，實際供給增幅受到壓抑。
以晶圓效率來看，HBM3E良率約35％，每片晶圓有效晶粒數約580顆，遠低於一般D1B DRAM約1,750顆；HBM4良率更降至約25％，每片有效晶粒數約500顆，相較D1C DRAM約2,100顆，產出效率差距進一步擴大。
法人預估，2027年至2028年全球DRAM位元供給年增率僅約15％，低於長期需求成長率約22％。
HBM需求則持續上修。三星2026年HBM出貨量預估約120億Gb，2027年增至200億Gb；SK海力士則由2026年180億Gb增至2027年240億Gb。
技術方面，HBM4 Base Die預計採12奈米製程，下一代HBM4E將朝先進邏輯製程發展，SK海力士預計導入台積電3奈米製程，有利先進製程及CoWoS供應鏈。
因應產能缺口，三星平澤P5 Fab 1預計2027年7月開出，P5 Fab 2及龍仁新基地均提前至2029年；SK海力士龍仁Y1廠預計2027年2月投產，Y2廠則提前至2028年下半年。法人預估，三星半導體資本支出將由2025年約48兆韓元，增至2028年逾100兆韓元；SK海力士同期則由28兆韓元增至接近80兆韓元。
法人認為，新產能正式開出，通常是記憶體上升周期接近尾聲的重要指標，主要觀察SK海力士2027年2月、美光2027年5月及三星2027年7月的產能釋放。
法人預測，DRAM景氣高點可能落在2028年下半年，AI超大型資料中心資本支出則可能於2029年進入平台期。
