SK集團會長崔泰源（左起）、南韓總統李在明、三星電子會長李在鎔同台宣布大投資計畫。
南韓政府昨（29）日宣布由三星和SK海力士領軍的「三大超級計畫」，以史上最大記憶體投資案最受矚目，兩大巨頭將合計豪擲800兆韓元（約5,182億美元、新台幣16.5兆元）擴產，目標是未來五年DRAM產能翻倍。
業界人士分析，歷史經驗顯示，記憶體廠宣布大擴產，即產業景氣上升循環即將觸頂訊號，此次兩大韓廠大動作擴產，全球記憶體業將面臨壓力測試，南亞科（2408）、華邦（2344）、威剛（3260）、群聯（8299）等台灣記憶體相關業者全面警戒。
三星、SK海力士是全球前二大DRAM廠，兩公司全球市占率超過65%，在全球NAND市占率合計近五成，此次喊出「五年產能翻倍」，雖然AI帶來記憶體市場結構性改變，韓廠鎖定高頻寬記憶體（HBM）、DDR5、高容量NAND晶片擴充，但在記憶體產能可互相調度調配下，一旦未來市場需求不如預期，恐引發報價雪崩式回跌，不可不慎。
兩大韓廠擴產帶來的不確定性尚待釐清，三星、SK海力士昨天股價同步走弱，三星更重挫逾4.7%；台廠則漲跌互見，南亞科收紅，華邦、旺宏等均收黑；而在美股早盤，美光下跌逾8%，晟碟下跌逾9%。
南韓總統李在明、三星電子會長李在鎔、SK集團會長崔泰源昨天共同舉辦記者會，宣布相關計畫。三星和SK海力士將在南韓西南地區（湖南）合計投資800兆韓元（約5,182億美元），興建四座記憶體廠，規模超過南韓政府今年度全年預算（約728兆韓元）。
青瓦台當局並宣稱會仿效台灣，把投資重心放在非首都圈地區，光州將成為新的記憶體製造重鎮，西南地區則會發展成南韓第二個半導體生產基地，目標是五年內把DRAM產能提高一倍。
三星、SK海力士計劃讓天安和溫陽發展為HBM封裝中心，並在東南圈（釜山和慶尚南道等）和大慶圈（大邱和慶尚北道等）建設半導體材料、零部件和裝備生產線。
三星表示，加上先前宣布的在平澤和龍仁的投資，該公司規劃在南韓投資額合計為2,655兆韓元。SK海力士則宣布1,100兆韓元的中長期半導體發展計畫（含此次西南地區投資400兆韓元）。
另外，未來15年，南韓將投資30兆韓元開發下一代記憶體、設備端AI晶片和國防半導體。
南韓的「三大超級計畫」除了記憶體大投資之外，還包括資料中心和機器人，目標2035年前建立18.4GW的資料中心容量。實體AI方面，將加速推進製造業AI轉型，每年將推廣千部以上產業專用機器人，並以現代汽車等投資為跳板，在全羅北道新萬金產業園區興建機器人代工廠和零組件生產園區。
(本文轉載自:經濟日報/編譯劉忠勇、記者李孟珊)
